RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
40
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
40
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2875
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link