RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
54
Wokół strony 52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
10.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
54
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
10.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2277
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link