RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
38
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3005
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link