RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
49
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
49
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
9.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2277
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston MSI16D3LS1KFG/8G 8GB
Kingston MSI16D3LS1KFG/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link