RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
49
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
49
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
9.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2277
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link