RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
11.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2238
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link