RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
51
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
51
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2687
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link