RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
43
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
43
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2501
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Mushkin 991586 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link