RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
31
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2954
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link