RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3217
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link