RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
52
Wokół strony 50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
52
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2306
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 994083 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link