RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3552
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link