RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
37
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
1878
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link