RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
26
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3296
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link