RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2890
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link