RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
30
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3140
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link