RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
34
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
12.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2565
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M378B5273TB0-CK0 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link