RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
57
Wokół strony 54% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
57
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2328
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Kingston 9965516-031.A00LF 16GB
Kingston 9965516-031.A00LF 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link