RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
36
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2564
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link