RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3273
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link