RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
3672
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link