RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
28
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
19
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
3542
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link