RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
13.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
2290
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link