RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
3636
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link