RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
32
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
2706
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR2 1066G 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link