RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
3691
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73CB0-YK0 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link