RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
3488
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link