RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
28
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
3195
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link