RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
28
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
19
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
3383
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link