RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
28
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
3879
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link