RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
3141
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KF548C38-16 16GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link