RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
39
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
39
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
2782
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link