RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
34
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
2665
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S13C9G 2GB
Elpida EBJ20UF8BCS0-DJ-F 2GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link