RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
34
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
3020
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link