RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
43
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
43
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
11.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
2532
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link