RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
63
Wokół strony 56% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
63
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
2543
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link