RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
37
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
37
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
2780
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link