RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
45
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
45
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
2943
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link