RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Porównaj
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
51
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
5.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.5
10.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
51
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
5.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2427
1081
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link