RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Porównaj
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
49
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
8.7
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2427
3188
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link