RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Porównaj
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
49
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
8.7
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2427
3774
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB Porównanie pamięci RAM
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link