RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Porównaj
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
49
Wokół strony -145% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
20
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2427
3410
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link