RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Porównaj
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
49
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
36
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2427
2998
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link