RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Porównaj
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
49
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
23
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2427
3063
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link