RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Porównaj
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
49
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
10.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
12.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2427
2148
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link