RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Porównaj
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
49
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
25600
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2427
3675
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link