RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Porównaj
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.4
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
7.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
54
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
47
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2226
2308
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link