RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
51
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
32
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3196
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link