RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
51
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
24
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2858
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link