RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
51
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
22
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3051
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link