RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
51
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
35
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3306
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link